第九百五十六章:技术方向(1/1)

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  “在集团实验室设备控制下,我们的弹道二维硒化铟晶体管打破了四个硅基芯片的极限。

  第一点,硅基芯片的沟长极限为12纳米,而我们的晶体管可以缩小到10纳米,同时保持理想的亚阈值摆幅75毫伏量程。

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